FDMC86320参数：MOSFET N CH 80V 10.7A 8-MLP
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：PowerTrench®包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：80V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：10.7A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：11.7 毫欧 @ 10.7A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：41nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2640pF @ 40V功率 - 最大值：2.3W安装类型：表面贴装封装：8-PowerWDFN供应商器件封装：8-MLP（3.3X3.3），Power33
