FDME430NT参数：MOSF N CH 30V 6A MICROFET1.6
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：5,000系列：PowerTrench®包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：40 毫欧 @ 6A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：9nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：760pF @ 15V功率 - 最大值：700mW安装类型：表面贴装封装：6-UFDFN 裸露焊盘供应商器件封装：MicroFet 1.6x1.6
