FDMQ8403参数：MOSFET N-CH 100V 6A 12-MLP
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：GreenBridge™ PowerTrench®包装：带卷 (TR)FET 类型：4 个 N 通道（H 桥）FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.1A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：110 毫欧 @ 3A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：215pF @ 15V功率 - 最大值：1.9W安装类型：表面贴装封装：12-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装：12-MLP（5x4.5）
