FDMS86200DC参数：MOSF N CH 150V 9.3A POWER 56
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：Dual Cool™, PowerTrench®包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：150V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：9.3A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：17 毫欧 @ 9.3A， 10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：42nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2955pF @ 75V功率 - 最大值：3.2W安装类型：表面贴装封装：8-PowerTDFN供应商器件封装：Power56
