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FDP3651U

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FDP3651U 优势库存
Fairchild
TO-220
2023+
3200
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onsemi
TO-220-3
2023+
500
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FairchildSemic..
TO-220-3()
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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FDP3651U(SG)
2023+
8057
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相关型号： FDP3632 FDP34N33 FDP33N25 FDP3205 FDP2710 FDP26N40

FDP3651U
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FDP3651U参数：MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：400
系列：PowerTrench®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：80A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：18毫欧@80A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：69nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：5522pF@25V
功率-最大值：255W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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