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FDP61N20

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相关型号： FDP6035AL FDP6030L FDP6030BL FDP5N60NZ FDP5N50NZ FDP5N50

FDP61N20
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FDP61N20参数：MOSFET N-CH 200V 61A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNAssembly/Origin： WaferFabrication04/Feb/2013
标准包装：400
系列：UniFET™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：61A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：41毫欧@30.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：75nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：3380pF@25V
功率-最大值：417W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220

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