FDP8N50NZ参数：MOSFET N-CH 500V TO-220AB-3
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNAssembly/Origin： WaferFabrication04/Feb/2013标准包装：50系列：UniFET™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：500V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：850毫欧@4A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：18nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：735pF@25V功率-最大值：139W安装类型：通孔封装：TO-220-3成形引线供应商器件封装：TO-220-3