FDR858P

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FDR858P参数：MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：19 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：30nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2010pF @ 15V
功率 - 最大值：900mW
安装类型：表面贴装
封装：8-SSOT，SuperSOT-8
供应商器件封装：8-SSOT