FDS2P102

FDS2070N3
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FDS2070N3参数：MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNObsolescence： MultipleDevices03/Dec/2009
PCNDesign/Specification： MoldCompound27/March/2008
标准包装：2,500
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：150V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.1A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：78毫欧@4.1A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：53nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1884pF@75V
功率-最大值：1.8W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mmWidth）裸露焊盘
供应商器件封装：8-SO