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FDS4770

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FDS4770
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FDS4770参数：MOSFET N-CH 40V 13.2A 8SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNObsolescence： MultipleDevices03/Dec/2009
标准包装：2,500
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：40V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：13.2A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：7.5毫欧@13.2A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：67nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2819pF@20V
功率-最大值：1.2W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOICN

FDS4770

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