FDS6162N3参数：MOSFET N-CH 20V 21A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： MultipleDevices03/Dec/2009PCNDesign/Specification： MoldCompound27/March/2008标准包装：2,500系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：21A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4.5毫欧@21A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：73nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：5521pF@10V功率-最大值：3W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mmWidth）裸露焊盘供应商器件封装：8-SOIC