FDS6612A参数：MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007标准包装：2,500系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8.4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：22毫欧@8.4A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：7.6nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：560pF@15V功率-最大值：1W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SOICN
