FDV302P参数：MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：25V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：120mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：10欧姆@200mA，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：0.31nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：11pF@10V功率-最大值：350mW安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：SOT-23