FDW2507N参数：MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：2,500系列：PowerTrench®包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：7.5A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：19 毫欧 @ 7.5A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：28nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2152pF @ 10V功率 - 最大值：1.1W安装类型：表面贴装封装：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装：8-TSSOP