FDW258P

FDW258P
PDF资料下载

FDW258P参数：MOSFET P-CH 12V 9A 8-TSSOP

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,500
系列：PowerTrench®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：12V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：11 毫欧 @ 9A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：73nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5049pF @ 5V
功率 - 最大值：600mW
安装类型：表面贴装
封装：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装：8-TSSOP