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FDZ191P

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相关型号： FDZ1905PZ FDY6342L FDY4001CZ FDY4000CZ FDY302NZ FDY301NZ

FDZ191P
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FDZ191P参数：MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：5,000
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平栅极，1.5V驱动
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：85毫欧@1A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：13nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：800pF@10V
功率-最大值：900mW
安装类型：表面贴装
封装：6-UFBGA，WLCSP
供应商器件封装：6-WLCSP

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