FDZ7064N参数：MOSFET N-CH 30V 13.5A BGA
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：PowerTrench®包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：13.5A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：7 毫欧 @ 14.5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：43nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3843pF @ 15V功率 - 最大值：2.2W安装类型：表面贴装封装：30-WFBGA供应商器件封装：30-BGA（4x3.5）
