FGA30S120P参数:IGBT 1300V 60A TO-3P
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:30系列:ShortedAnode™包装:管件IGBT 类型:沟道和场截止电压 - 集射极击穿(最大值):1300V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.3V @ 15V,30A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60ACurrent - Collector Pulsed (Icm):150A功率 - 最大值:348WSwitching Energy:2.52mJ输入类型:标准Gate Charge:78nCTd (on/off) A 25°C:39ns/620nsTest Condition:600V, 30A, 10 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):-封装:TO-3P-3,SC-65-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-3P