FGA60N65SMD参数:IGBT 650V 120A TO-3P
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:30系列:-包装:管件IGBT 类型:场截止电压 - 集射极击穿(最大值):650V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.5V @ 15V,60A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):120ACurrent - Collector Pulsed (Icm):180A功率 - 最大值:600WSwitching Energy:1.99mJ输入类型:标准Gate Charge:87nCTd (on/off) A 25°C:18ns/104nsTest Condition:400V, 60A, 3 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):47ns封装:TO-3P-3,SC-65-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-3P