FGD3N60UNDF

FGD3N60UNDF
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FGD3N60UNDF参数：IGBT 600V 6A 60W DPAK

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
特色产品： FGD3N60UNDFShortCircuitRatedIGBT
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷(TR)
IGBT类型：NPT
电压-集射极击穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic时的?Vce(on)：2.52V@15V，3A
电流-集电极(Ic)（最大值）：6A
Current-CollectorPulsed(Icm)：6A
功率-最大值：60W
SwitchingEnergy：82µJ
输入类型：标准
GateCharge：1.6nC
Td(on/off)A25°C：5.5ns/22ns
TestCondition：400V，3A，10欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：21ns
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：TO-252