FII30-12E参数:IGBT PHASE TOP ISOPLUS I4-PAC-5
类别:分立半导体产品-IGBT - 阵列标准包装:24系列:-IGBT 类型:NPT配置:半桥电压 - 集射极击穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.9V @ 15V,20A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):33A电流 - 集电极截止(最大值):200µA不同?Vce 时的输入电容 (Cies):1.2nF @ 25V功率 - 最大值:150W输入:标准NTC 热敏电阻:无安装类型:通孔封装:i4-Pac?-5供应商器件封装:ISOPLUS i4-PAC?