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FQA38N30

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FQA38N30 优势库存
Fairchild
TO-3P
2023+
1030
原装现货质量保证
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FQA38N30
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2023+
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TO-3PL
2023+
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FairchildSemic..
TO-3PN
2023+
1250
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TO-3PN-3
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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FQA38N30(SG)
2023+
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工厂配单，价格优势
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FQA38N30
FAIRCHILD
TO-3P
2023+
2131
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FQA38N30
FAIRCHLD
库房现货原装进口
2023+
5600
相关型号： FQA36P15_F109 FQA36P15 FQA35N40 FQA34N25 FQA34N20L FQA34N20

FQA38N30
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FQA38N30参数：MOSFET N-CH 300V 38.4A TO-3P

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNObsolescence： MultipleDevices14/Mar/2011
标准包装：30
系列：QFET™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：300V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：38.4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：85毫欧@19.2A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：120nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：4400pF@25V
功率-最大值：290W
安装类型：通孔
封装：TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：TO-3PN

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