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FQAF10N80

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相关型号： FQA9P25 FQA9N90C_F109 FQA9N90C FQA9N90_F109 FQA9N50 FQA90N15_F109

FQAF10N80
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FQAF10N80参数：MOSFET N-CH 800V 6.7A TO-3PF

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：360
系列：QFET™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：800V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.05 欧姆 @ 3.35A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：71nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2700pF @ 25V
功率 - 最大值：113W
安装类型：通孔
封装：SC-94
供应商器件封装：TO-3PF

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