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FQB12P20TM

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相关型号： FQB12P10TM FQB12N60TM_AM002 FQB12N60CTM FQB12N50TM_AM002 FQB11P06TM FQB11N40TM

FQB12P20TM
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FQB12P20TM参数：MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：800
系列：QFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：11.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：470毫欧@5.75A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：40nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1200pF@25V
功率-最大值：3.13W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：TO-263-2

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