FQB50N06LTM参数：MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing标准包装：800系列：QFET™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：52.4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：21毫欧@26.2A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：32nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1630pF@25V功率-最大值：3.75W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：D²PAK