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FQB8N60CTM

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FQB8N60CTM 优势库存
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相关型号： FQB8N60CFTM FQB8N25TM FQB85N06TM_AM002 FQB7P20TM_F085 FQB7P20TM FQB7P06TM

FQB8N60CTM
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FQB8N60CTM参数：MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： PassivationMaterial26/June/2007
标准包装：800
系列：QFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：7.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.2欧姆@3.75A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：36nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1255pF@25V
功率-最大值：3.13W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：TO-263（D2Pak）

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