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FQD10N20CTM

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FAIRC
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FQD10N20CTM-F080
FairchildSemic..
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FQD10N20CTM-NL
FAIRCHILD
TO-252(DPAK)
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FairchildSemic..
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FQD10N20CTM-F080
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26278
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相关型号： FQD10N20CTF FQB9P25TM FQB9N50TM FQB9N50CTM FQB9N50CFTM_WS FQB9N50CFTM

FQD10N20CTM
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FQD10N20CTM参数：MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：2,500
系列：QFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：7.8A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：360毫欧@3.9A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：26nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：510pF@25V
功率-最大值：50W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：TO-252-3

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