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FQD2N100TM

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FQD2N100TM
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FQD2N100TM参数：MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：2,500
系列：QFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：1000V（1kV）
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.6A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：9欧姆@800mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：15.5nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：520pF@25V
功率-最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

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