FQD3P50TM参数：MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing标准包装：2,500系列：QFET™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：500V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.1A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4.9欧姆@1.05A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：23nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：660pF@25V功率-最大值：2.5W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：TO-252-3
