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FQD4N50TM

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FQD4N50TM 优势库存
FAIRCHILD
SOT-252
2023+
3204
原装现货，价格优势
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FQD4N50TM_WS
onsemi
TO-252AA
2023+
500
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FQD4N50TM
onsemi
TO-252AA
2023+
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FQD4N50TM
FAIRCH
TO-252(DPAK)
2023+
11278
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FQD4N50TM
FairchildSemic..
TO-252-3,DPa..
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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FQD4N50TM-WS
FairchildSemic..
TO-252-3,DPa..
2023+
1250
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FQD4N50TM-WS
FairchildSemic..
DPak,SC-63,T..
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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FQD4N50TM
FairchildSemic..
DPak,SC-63,T..
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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FQD4N50TM-NL
FAIRCHILD
TO-252(DPAK)
2023+
25000
品质保证,价格优惠
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FQD4N50TM-NL
FAIRCHILD
TO-252
2023+
12437
工厂配单，价格优势
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FQD4N50TM-NL
FAIRCHILD
TO-252(DPAK)
2023+
20000
全新原装正品特价优惠
FQD4N50TM
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TO-252(DPAK)
2023+
20000
全新原装进口特价
相关型号： FQD4N50TF FQD4N25TM_WS FQD4N25TM FQD4N25TF FQD4N20TM FQD4N20TF

FQD4N50TM
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FQD4N50TM参数：MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,500
系列：QFET™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：500V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.7 欧姆 @ 1.3A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：13nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：460pF @ 25V
功率 - 最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

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