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FQD7P20

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FQD7P20TM-NL 优势库存
FAIRC
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FQD7P20 优势库存
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TO252
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FQD7P20TM_F080
onsemi
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FQD7P20TM
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FQD7P20TM
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FQD7P20TF
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FQD7P20TM-F080
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TO-252-3,DPa..
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FQD7P20
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FQD7P20TM-F080
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6000
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FQD7P20TF
FAIRCHILD
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FQD7P20TM
FAIRCHILD
TO-252(DPAK)
2023+
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FAIRCHILD
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2023+
2131
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FAIRCHILD
TO-252
2023+
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FQD7P20
10000
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相关型号： FQD7P06TM_NB82050 FQD7P06TM_F080 FQD7P06TM FQD7P06TF FQD7N30TM FQD7N30TF

FQD7P20TF
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FQD7P20TF参数：MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,000
系列：QFET™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：200V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：5.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：690 毫欧 @ 2.85A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：770pF @ 25V
功率 - 最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

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