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FQI10N60C

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FQI10N60CTU
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FQI10N60CTU参数：MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,000
系列：QFET™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：9.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：730 毫欧 @ 4.75A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：57nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2040pF @ 25V
功率 - 最大值：3.13W
安装类型：通孔
封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装：I2PAK

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