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FQI13N50

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FQI13N50CTU
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FQI13N50CTU参数：MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： PassivationMaterial14/May/2008
标准包装：50
系列：QFET™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：13A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：480毫欧@6.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：56nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2055pF@25V
功率-最大值：195W
安装类型：通孔
封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装：I2PAK

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