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FQI4N80

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FQI4N80 优势库存
FAIRCHILD
TO262
2023+
783
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FQI4N80TU
onsemi
I2PAK（TO-262）
2023+
500
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TO-261
2023+
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FairchildSemic..
TO-262-3，，Is..
2023+
1250
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Isup2Pak,TO-..
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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FQI4N80
FAIRCHILD
TO-262(I2PAK)
2023+
39000
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相关型号： FQI4N25TU FQI4N20TU FQI4N20LTU FQI47P06TU FQI3P50TU FQI3P20TU

FQI4N80TU
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FQI4N80TU参数：MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：50
系列：QFET™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：800V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.9A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3.6欧姆@1.95A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：25nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：880pF@25V
功率-最大值：3.13W
安装类型：通孔
封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装：I2PAK

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