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FQI6N60C

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相关型号： FQI6N50TU FQI6N40CTU FQI6N15TU FQI5P10TU FQI5N80TU FQI5N60CTU

FQI6N60CTU
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FQI6N60CTU参数：MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNDesign/Specification： PassivationMaterial26/June/2007
标准包装：1,000
系列：QFET™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2欧姆@2.75A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：20nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：810pF@25V
功率-最大值：125W
安装类型：通孔
封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装：I2PAK

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