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FQP22N30

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FQP22N30 优势库存
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TO-220
2023+
3200
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FQP22N30
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TO-220-3
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TO-220
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11278
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FQP22N30(ASTEC)
2023+
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相关型号： FQP20N06TSTU FQP20N06L FQP20N06 FQP1P50 FQP1N60 FQP1N50

FQP22N30
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FQP22N30参数：MOSFET N-CH 300V 21A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：50
系列：QFET™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：300V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：21A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：160毫欧@10.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：60nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2200pF@25V
功率-最大值：170W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220

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