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FQP33N10

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FQP33N10 优势库存
Fairchild
TO-220
2023+
3200
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FQP33N10L 优势库存
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TO220
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FairchildSemic..
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FQP33N10(SG)
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FQP33N10
10000
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SOP
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FQP33N10
FAIRCHILD
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相关型号： FQP32N20C_F080 FQP32N20C FQP32N12V2 FQP30N06L FQP30N06 FQP2P40

FQP33N10
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FQP33N10参数：MOSFET N-CH 100V 33A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：50
系列：QFET™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：33A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：52毫欧@16.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：51nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1500pF@25V
功率-最大值：127W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220

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