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FQP4N80

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FSC
TO-220
2023+
22350
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TO-220-3
2023+
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SAMSUNG
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原装现货,特价
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FairchildSemic..
TO-220-3
2023+
1250
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FQP4N80
FairchildSemic..
TO-220-3()
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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FQP4N80C
FSC/
TO-220
2023+
101278
工厂配单，价格优势
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联系人：销售部
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FQP4N80
FAIRCHILD
TO-220
2023+
2131
全新原装现货，价格优惠
FQP4N80
FSC
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2023+
4500
FQP4N80C
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FQP4N80
Fairchild
2023+
9000
全新原装现货
相关型号： FQP4N60 FQP4N50 FQP4N25 FQP4N20L FQP4N20 FQP47P06_SW82049

FQP4N80
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FQP4N80参数：MOSFET N-CH 800V 3.9A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：50
系列：QFET™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：800V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.9A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3.6欧姆@1.95A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：25nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：880pF@25V
功率-最大值：130W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220

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