FQP5N80参数：MOSFET N-CH 800V 4.8A TO-220
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： MultipleDevices14/Mar/2011标准包装：50系列：QFET™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：800V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.8A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.6欧姆@2.4A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：33nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1250pF@25V功率-最大值：140W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220
