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FQPF10N20

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FQPF10N20 优势库存
FSC
TO-220F
2023+
15350
原装现货质量保证
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FQPF10N20 优势库存
FSC
TO-220F
2023+
21774
原装现货，价格优势
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FQPF10N20C
onsemi
TO-220F-3
2023+
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FQPF10N20
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TO-220F
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FQPF10N20C
Fairchild
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2023+
12557
全新进口原装现货,特价热卖
FQPF10N20
FairchildSemic..
TO-220-3
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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FQPF10N20C
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TO-220-3
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FQPF10N20
FairchildSemic..
TO-220-3（）
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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FQPF10N20C
FairchildSemic..
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2023+
6000
品质保证,价格优惠
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SAMSUNG
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原装现货,特价
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FQPF10N20CCEFF634
FAIRCHILD
TO-220F
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1358
全新进口原装现货,保证质量
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FQPF10N20TU
FAIRCHILD
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2023+
2778
工厂配单，价格优势
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FQPF10N20C
FAIRCHILD
TO-220F
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2131
全新原装正品特价优惠
FQPF10N20
FAIRCHILD
TO-220F
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全新原装现货，价格优惠
FQPF10N20
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库房现货原装进口
2023+
5600
相关型号： FQP9P25 FQP9N90C FQP9N50C FQP9N50 FQP9N30 FQP9N25CTSTU

FQPF10N20
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FQPF10N20参数：MOSFET N-CH 200V 6.8A TO-220F

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,000
系列：QFET™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：200V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6.8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：360 毫欧 @ 3.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：670pF @ 25V
功率 - 最大值：40W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3 整包
供应商器件封装：TO-220F

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