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FQPF19N20C

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FQPF19N20C
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FQPF19N20C参数：MOSFET N-CH 200V 19A TO-220F

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：50
系列：QFET™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：19A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：170毫欧@9.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：53nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1080pF@25V
功率-最大值：43W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3整包
供应商器件封装：TO-220F

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