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FQPF7N80

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FQPF7N80C 优势库存
Fairchild
TO-220F
2023+
3200
原装现货质量保证
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FQPF7N80C 优势库存
FAIRCHILD
TO-220F
2023+
5121
全新进口原装现货，即时发货
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FQPF7N80
onsemi
TO-220F-3
2023+
500
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FQPF7N80C
onsemi
TO-220F-3
2023+
500
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FQPF7N80
SAMSUNG
TO-220F
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68357
原装现货,特价
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FQPF7N80C
FSC
TO-220F
2023+
9907
全新进口原装现货,特价热卖
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FQPF7N80
FairchildSemic..
TO-220-3
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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FQPF7N80C
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FQPF7N80C
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TO-220-3（）
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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FQPF7N80
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TO220
2023+
1291
全新进口原装现货,保证质量
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FQPF7N80C.
TO220
2023+
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FQPF7N80A
FAI
TO-220F-2
2023+
37557
工厂配单，价格优势
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联系人：销售部
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FQPF7N80CFSC
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2023+
3278
工厂配单，价格优势
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FQPF7N80C
FAIRCHILD
TO-220F
2023+
2131
全新原装现货，价格优惠
FQPF7N80C
FSC
进口原装 库房现货
2023+
5600
FQPF7N80C
FSC
TO-220
2023+
9000
全新原装现货
相关型号： FQPF7N65CYDTU FQPF7N65C_F105 FQPF7N65C FQPF7N60 FQPF7N40 FQPF7N20L

FQPF7N80
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FQPF7N80参数：MOSFET N-CH 800V 3.8A TO-220F

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,000
系列：QFET™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：800V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.5 欧姆 @ 1.9A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：52nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1850pF @ 25V
功率 - 最大值：56W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3 整包
供应商器件封装：TO-220F

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