FQT1N60CTF_WS参数：MOSFET N-CH 600V 200MA SOT-223-4
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：4,000系列：QFET™包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：600V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：200mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：11.5 欧姆 @ 100mA，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6.2nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：170pF @ 25V功率 - 最大值：2.1W安装类型：表面贴装封装：TO-261-4，TO-261AA供应商器件封装：SOT-223-3
