FQT3P20TF参数：MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing标准包装：4,000系列：QFET™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：200V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：670mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.7欧姆@335mA，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：8nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：250pF@25V功率-最大值：2.5W安装类型：表面贴装封装：TO-261-4，TO-261AA供应商器件封装：SOT-223-4
