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FQU1N60C

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FQU1N60CTU
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FQU1N60CTU参数：MOSFET N-CH 600V 1A IPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：70
系列：QFET™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：11.5欧姆@500mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6.2nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：170pF@25V
功率-最大值：2.5W
安装类型：通孔
封装：TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：I-Pak

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