FQU3N60CTU参数:MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
类别:分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification: PassivationMaterial14/May/2008标准包装:70系列:QFET™包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):600V电流-连续漏极(Id)(25°C时):2.4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):3.4欧姆@1.2A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):14nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):565pF@25V功率-最大值:50W安装类型:通孔封装:TO-251-3短引线,IPak,TO-251AA供应商器件封装:I-Pak