FS200R07A1E3参数：IGBT 650V 250A 790W
类别：半导体模块-IGBT标准包装：4系列：-IGBT 类型：-配置：三相反相器电压 - 集射极击穿（最大值）：650V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：1.9V @ 15V，200A电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：250A电流 - 集电极截止（最大值）：1mA不同?Vce 时的输入电容 (Cies)：13nF @ 25V功率 - 最大值：790W输入：标准NTC 热敏电阻：是安装类型：表面贴装封装：模块供应商器件封装：模块
