GS1M-TP参数：DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
类别：分立半导体产品-单二极管/整流器产品培训模块： DiodeHandlingandMounting标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)二极管类型：标准电压-DC反向(Vr)（最大值）：1000V（1kV）电流-平均整流(Io)：1A不同If时的电压-正向(Vf)：1.1V@1A速度：标准恢复>500ns，>200mA（Io）反向恢复时间(trr)：-不同?Vr时的电流-反向漏电流：10µA@1000V不同?Vr、F时的电容：15pF@4V，1MHz安装类型：表面贴装封装：DO-214AC，SMA供应商器件封装：DO-214AC