GT20J121

GT20J321(Q)
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GT20J321(Q)参数：IGBT DUAL 600V 20A TO220NIS

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：50
系列：-
包装：管件
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.45V @ 15V，20A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20A
Current - Collector Pulsed (Icm)：40A
功率 - 最大值：45W
Switching Energy：400µJ (开), 430µJ (关)
输入类型：标准
Gate Charge：-
Td (on/off) A 25°C：60ns/240ns
Test Condition：300V, 20A, 33 欧姆
反向恢复时间 (trr)：100ns
封装：TO-220-3 整包
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-220NIS