GT25Q102(Q)参数：IGBT 1200V 25A TO-3P LH
类别：分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装：100系列：-包装：管件IGBT 类型：-电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.7V @ 15V，25A电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：25ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：50A功率 - 最大值：200WSwitching Energy：-输入类型：标准Gate Charge：-Td (on/off) A 25°C：300ns/680nsTest Condition：600V, 25A, 43 欧姆反向恢复时间 (trr)：-封装：TO-3PL安装类型：通孔供应商器件封装：TO-3P（LH）